SUNNY晶振,石英貼片晶振,CS-3215晶體.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的智能家居晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.
SUNNY晶振公司成立于1966年9月15日,主要產業有晶體振蕩器及應用產品,自1966年9月15日成立以來,Sunny Electronics一直與三星電子和LG Electronics等頂級合作伙伴開展業務,在晶體振蕩器和晶體振蕩器領域已有50多年的歷史,是韓國主要的電子組件制造商.
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SUNNY晶振 |
單位 |
CS-3215晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:10μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.vanban.cn/
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頻率溫度特征 |
f_tem |
30 × 10-6，±50 × 10-6 |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
9.0pF 12.5pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
保管
保管在高溫多濕的場所可能會導致端子軟焊性的老化.
請在沒有直射陽光,不發生結露的場所保管.
其他
晶體諧振器
如果過大的激勵電力對32.768K晶振外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用.
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值.本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍以上.
晶體振蕩器
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以短距離連接.關于個別機型請確認宣傳冊、規格書.
晶體濾波器
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路.
如果過大的激勵電力對3215晶振外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用.
Transko晶振,耐高溫石英晶振,CS31晶體諧振器
日蝕晶振,進口貼片晶振,E8WSDC12-32.768K晶體
微晶晶振,高精密貼片晶振,CM7V-T1A壓電石英晶體
Golledge晶振,32.768K時鐘晶振,CM7V晶振
Abracon晶振,石英晶體諧振器,ABS07L晶振
Abracon晶振,SPXO晶振,ASH7K有源晶體振蕩器
CTS晶振,32.768K晶體,TF32進口無源晶振
ECScrystal晶振,32.768K晶振,ECX-34Q石英晶體諧振器
QuartzCom晶振,高精密石英晶振,SMX-315進口晶體
富士晶振,石英貼片晶振,FSX-3215石英晶體