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百利通亞陶晶振,高精密石英晶振,FYQ晶體.石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的SMD晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.

Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設計、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺灣臺北；臺灣桃園市、臺灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes 的晶圓生產設施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設有一座生產設施.Diodes 百利通亞陶晶振在中國上海、濟南、成都、揚州,以及香港、紐豪斯及臺北設有組裝與測試設施.另外在多個據點設有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設有支持辦公室.

百利通亞陶晶振	單位	FYQ晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8.000MHz~125.000MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±10ppm~±50ppm	+25°C對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.vanban.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF~32pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

FYQ 5032

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗無源晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機械處理

當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

自動安裝時的沖擊:

石英晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對高質量石英晶振特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等.

粘合劑

請勿使用可能導致高精度石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.

如何正確的使用有源晶振

電處理:

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.