86-0755-27838351
康華爾電子成立至今已有20多年,是國內數一數二的晶振廠家0755-27838351,專業研發生產銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無鉛環保材料生產,具有精度穩定,小體積,重量輕等特點.國產晶振就選康華爾電子,質量好,精度高,價格優勢.
康華爾電子多年來在競爭激烈的市場中,以技術占領市場,以質量贏得客戶,是國內口碑極高的晶振供應商.并且憑借自身的努力代理臺灣進口晶振多個品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺產晶振,均符合德國ROHS環保指令,具有高質量,高可靠使用特性,咨詢選購熱線0755-27838351.
日本進口晶振在國內口碑一流,高端智能產品使用晶振大都會選擇日產晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環保要求,具有高精度,高品質,低插損,耐高溫等特點.
康華爾電子是國內優秀的歐美進口晶振供貨商0755-27838351,多年來憑借自身的努力,獲得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理權限.所代理進口晶振,歐美晶振均符合歐盟ROHS環保指令,并且獲得ISO國際質量管理體系認證.市場常用進口晶振封裝型號康華爾電子均有備貨,可免費提供現貨樣品以及晶振技術解決方案.
32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數字,32.768K晶振素來有時鐘晶振的稱謂,只要跟數字顯示以及時間相關的產品都少不了一款32.768K晶振.根據不同的產品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價格優質,咨詢熱線0755-27838351.
有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
適合用于時鐘應用的OSC有源振蕩器X1G005591026500，石英晶體振蕩器，有源貼片晶振中使用的石英晶體是一塊非常小的、薄的石英切割片或晶片，其兩個平行表面被金屬化以進行所需的電連接。一塊石英晶體的物理尺寸和厚度受到嚴格控制，因為它會影響振蕩的最終頻率或基本頻率。基頻一般稱為晶體的“特征頻率”。一旦切割和成型，晶體就不能在任何其他頻率下使用。換句話說，石英晶體的大小和形狀決定了石英晶體振蕩器的基本振蕩頻率。
適合用于時鐘應用的OSC有源振蕩器X1G005591026500，石英晶振蕩器體是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相應表面上涂有銀。 安裝一對金屬塊作為極板，構成石英有源晶體振蕩器 。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應。 當在晶片外部的兩個板之間添加電場時，晶體將產生機械變形; 相反，當在板之間施加機械力時，將在晶體中產生電場。 這種現象稱為壓電效應。
 Product Number
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 愛普生晶振型號 |
 Frequency
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 LxWxH
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 Output Wave
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 Supply Voltage
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 Ope Temperature
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 Freq. Tol.
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 I [Max]
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| X1G005591025400 | SG-8018CE | 2.444400 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591025500 | SG-8018CE | 13.977600 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591025600 | SG-8018CE | 75.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591025700 | SG-8018CE | 13.516800 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591025800 | SG-8018CE | 64.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591025900 | SG-8018CE | 9.830400 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591026000 | SG-8018CE | 29.491200 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005591026100 | SG-8018CE | 37.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005591026200 | SG-8018CE | 16.384000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591026300 | SG-8018CE | 135.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.1 mA |
| X1G005591026400 | SG-8018CE | 64.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591026500 | SG-8018CE | 20.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591026600 | SG-8018CE | 12.288000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591026700 | SG-8018CE | 60.956200 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591026800 | SG-8018CE | 52.441700 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591026900 | SG-8018CE | 65.794020 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591027000 | SG-8018CE | 14.745600 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591027100 | SG-8018CE | 16.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591027200 | SG-8018CE | 7.372800 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
| X1G005591027300 | SG-8018CE | 35.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005591027400 | SG-8018CE | 64.800000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591027500 | SG-8018CE | 33.300000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
| X1G005591027600 | SG-8018CE | 66.667000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
| X1G005591027700 | SG-8018CE | 15.625000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
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