Fortiming培養石英的基本過程

1.介紹

石英是一種壓電材料。當電壓施加到兩個電極上時，一個薄的石英晶片就會機械振動，該石英晶片的相對表面上附著有電極。振動頻率主要是晶片尺寸的函數。當適當地安裝有電極時，晶片被稱為石英晶體諧振器，長期以來被用于控制無線電發射機的頻率，并且它已經成為電信通信設備中的基本組件，在電信通信設備中，其壓電特性被用于濾波器、振蕩器和其他設備。現在，石英晶體為微處理器、計算機、可編程控制器、手表和各種DSP等其他數字設備提供時間和坐標信號。

石英是二氧化硅（SiO2).這是一種硬而脆的透明材料，密度為2649千克/米3熔點為1750°C.石英不溶于普通酸，但溶于氫氟酸和熱堿。當石英被加熱到573度時°c，它的結晶形態發生變化。高于此轉變溫度的穩定形式被稱為高石英或β石英，而低于573的穩定形式°碳被稱為低石英或α石英。對于諧振器應用，只有α-石英是感興趣的，除非另有說明，術語石英在續集中總是指α-石英。石英是一種豐富的天然材料，但要將優質天然石英與劣質天然石英分開需要大量的勞動。盡管硅（主要以二氧化物的形式存在，通常為小石英晶體）約占地殼的三分之一，但主要在巴西發現了大小和質量適合用于利用其壓電特性的設備的天然石英。天然石英的加工成本也很高，因為它的形狀和大小是隨機的。此外，一些劣質石英僅在部分加工后才被發現。并且天然石英中普遍存在的雜質通常使得切割小晶片不切實際。1936年，美國陸軍通信兵與賈菲、黑爾和索耶博士領導的布魯什實驗室簽訂了一份合同，這是培養石英發展的第一個重大進展。這是由于具有良好壓電質量的天然石英稀缺，通常從巴西購買。

如今，石英被人工種植到特定的尺寸。晶體取向受到控制，并且純度一致地高。標準尺寸降低了切割晶片的成本，雜質分布廣泛，使得需要低驅動功率的小型諧振器成為可能。

2.培養石英的基本過程

培養的石英生長在一個稱為高壓釜的大型壓力容器中（見下圖）。高壓釜是一端封閉的金屬圓筒，能夠承受每平方英寸30，000磅的壓力，內部溫度為700至800度°F.它通常高12至20英尺，直徑2至3英尺。

被稱為“lascas或nutrient”的純無表面石英小碎片（大小為1至1.5英寸）被放置在金屬絲網籃中并放入容器的下半部分。一個帶有預先安排好的孔的鋼板，稱為“擋板”，設置在籃子的頂部。擋板用于分隔生長（種子）區和營養區，并有助于在兩個區域之間建立溫差。被稱為“籽晶”的適當取向的單晶板（天然的或培養的）被安裝在架子上，并懸掛在容器上半部擋板的頂部。然后用堿性水溶液（碳酸鈉或氫氧化鈉）填充高壓釜至其自由體積的約80%，以允許未來的液體膨脹，并用高壓封蓋密封。然后通過一系列連接在圓筒外周的電阻加熱器將高壓釜加熱到工作溫度。隨著溫度的升高，高壓釜內的壓力開始增加。700到800的溫度°f在容器的下半部達到，而上半部保持在70至80°比下半部分更冷。

在操作壓力和溫度下，lascas溶解在容器下半部的加熱溶液中，然后上升。當溶液達到容器上部較低的溫度時，溶液變得過飽和，導致lascas中溶解的石英在晶種上重新結晶。然后，冷卻的廢液返回到容器的下半部分，重復循環，直到lascas耗盡，培養的石英石達到所需尺寸。這種所謂的“水熱加工”時間從25天到365天不等，取決于所需的寶石尺寸、性質和加工類型——氫氧化鈉或碳酸鈉。

3.石英晶體的對稱性、孿晶和尺寸

α-石英屬于晶體學類別32，它是一種六棱柱，每端有六個帽面。棱鏡面被指定為m面，帽面被指定為R面和R面。R面通常被稱為主菱形面，R面是次菱形面。左旋和右旋晶體都是自然產生的，可以通過S面和X面的位置來區分。

如上面的示意圖所示，α-石英晶體具有三重對稱的單軸（三角軸），并且具有垂直于該三角軸的三個二重對稱軸（雙角軸）。雙角軸間隔120度，是極軸，也就是說，可以給它們一個明確的定義。極軸的存在意味著缺乏中心對稱性，是壓電效應存在的必要條件。雙晶軸也稱為石英的電軸（x軸、y軸）。在具有完全發育的自然面的晶體中，每個極軸的兩端可以通過S面和X面的存在與否來區分。當沿電軸方向施加壓力時，在被這些面修飾的軸的那一端產生負電荷。三角軸，也稱為光軸（z軸），不是極軸，因為垂直于它的兩個角軸的存在意味著三角軸的兩端是相等的。因此沿光軸不會產生壓電極化。在直角坐標系中，z軸平行于m個棱鏡面。主表面垂直于X軸的石英切割板稱為X切割板。將切口繞z軸旋轉90度，得到Y軸垂直于主表面的Y切割板。由于石英晶體有六個棱面，因此x軸和y軸有三種選擇。選擇是任意的；每個人的行為都一樣。

石英是一種光學活性材料。當一束平面偏振光沿光軸傳輸時，偏振面發生旋轉，旋轉量取決于在材料中穿過的距離。旋轉方向可用于區分兩種天然存在的α石英形式，即左石英和右石英。在左側石英中，當觀察者看向光源時，偏振面逆時針旋轉，而在右側石英中，偏振面順時針旋轉。大多數人工培育的石英是右石英，而天然的左石英和右石英分布大致相等。任何一種形式都可以很好地用于制造諧振器，但是不能使用左右形式混合的材料，這種材料被稱為光學孿生材料。另一方面，電孿晶材料都是相同的方向，但包含電軸方向相反的區域，因此降低了整體壓電效應。這種材料也不適合諧振器應用。天然石英晶體中孿晶和其他缺陷的存在是合適的天然材料短缺的主要原因，而培養石英中不存在顯著的孿晶構成了其主要優勢之一。當α-石英被加熱到573℃以上時°c時，晶體形式變為β-石英的晶體形式，其具有六方而不是三方對稱性。在通過573冷卻時°c時，材料轉變為α-石英，但通常會發現電孿生。出于同樣的原因，施加大的熱應力或機械應力會誘發孿生，因此在諧振器加工中有必要避免任何此類熱沖擊或機械沖擊。

從生產它們的高壓釜中取出后，培養的石英貼片晶振晶體通過研磨轉化為所謂的木棒。這些是長的矩形棒，適合隨后切割成用于諧振器的晶片。木條通常有6至8英寸長，但可用長度約為5至6英寸，因為靠近端部的材料無法使用。可以種植更長的南瓜條，但這需要更長的種子，其成本會隨著長度的增加而迅速增加。木條的高度通常約為寬度的兩倍，因為通常從每個切片上切下兩個晶片。大量標準尺寸的木棒可供選擇，石英也可以生長并研磨至特定尺寸。

4.石英晶體中的化學雜質

人造和天然石英都含有會影響諧振器性能的化學雜質。化學雜質是那些與石英中的硅和氧形成化學鍵的雜質。鋁、鐵、氫和氟是典型的化學雜質。它們在人造石英中的含量比天然石英中的含量低得多。然而，化學雜質在養殖石英中的分布并不均勻。+x，-x、z區域和偶爾形成的所謂s區域包含不同水平的化學雜質。兩個z區域包含最少量的雜質。+x區域比z區域包含更多的雜質-x區域有更多的雜質。s區的雜質密度通常較小，介于z區和+x區之間。當使用寬種子進行培育時，伐木棒的z區域較大，而+x和-x區域很小。當使用較窄、較便宜的種子時，z區域較小，而+x和-x個區域更大。通常，化學雜質會導致諧振器性能下降，例如輻射硬度、纏繞敏感性、振蕩器短期和長期穩定性以及濾波器損耗。

5.諧振器Q和晶體Q

晶體諧振器的Q值是一個周期內存儲的能量與損失的能量之比:

Qº2p循環期間儲存的能量/循環期間損失的能量

該值很重要，因為它衡量驅動諧振器所需的功率。Q值主要是諧振器工作環境、表面缺陷、機械附件以及加工和安裝諧振器時產生的其他因素的函數。

石英木條也被賦予一個Q值，但石英木條的Q值不是基于對儲存能量和損失能量的直接測量。相反，石英棒的Q是基于棒中雜質的品質因數。培養石英中的化學雜質是通過引導紅外光穿過伐木棒橫截面切片中的z區域來測量的。測量兩個特定波長（3.500納米和3.800納米）下的透射率差異，并根據這些數據計算Q值。高Q值的石英比低Q值的石英含雜質少，根據EIA標準477-1，石英種植者和用戶通常使用“紅外Q值”測量作為石英質量的指標。

諧振器的Q值通常不同于切割諧振器的石英棒的Q值。然而，當石英棒的Q低于臨界水平時，諧振器的Q會受到影響。培養石英的Q值為180萬或更高，表明化學雜質不會影響大多數應用中諧振器的最終Q值。具有這種Q值的石英通常被稱為電子級（C級）。特級石英的品質因數為220萬（B級），特級石英的品質因數為300萬（A級）。重要的是要知道，培養石英的Q值僅基于z區域的雜質。因此，即使晶體Q適用于某一應用，諧振器的有源部分（電極之間）包括+x，-x或s區域材料。

僅包含z-區域材料的石英晶體晶片只能從由相對昂貴的寬籽晶生長的棒上成功切割。幸運的是，電極很少覆蓋諧振器晶片的整個表面區域，-當這些雜質材料位于有源部分之外時，x或s區域不會不利地影響諧振器的工作。因此，大多數應用的諧振器可以使用從相對便宜的窄籽晶生長的石英。

6.摘要

壓電石英晶體是由著名的居里夫婦于1880年發現的，曾經以高昂的成本從未經雕琢的天然晶體中獲得，現在通過生產特定尺寸和純度晶體的工藝進行人工生長。這種人造石英降低了成本，縮小了對當今數字電路計時至關重要的諧振器尺寸。

1/5