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百利通亞陶晶振,有源晶振,ASSP XO晶振,FDSAS2062晶振,石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區分，所以石英晶振對精度要求高的產品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產品的溫度特性。

小型貼片有源晶振,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和各式IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等數碼領域,符合RoHS/無鉛.

Diodes 的產品除了5032晶振,有源晶振,壓控振蕩器,溫補晶振之后還包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅動器)、AC-DC 轉換器與控制器、DC-DC 開關與線性穩壓器，以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關、負載開關、電壓監控器及馬達控制器)。

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	62.5MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	VCC	2.375~2.625V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.vanban.cn
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCCMax.	ST終端
輸入電壓	VIL	20 % VCCMax.	ST終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

百利通亞陶臺產進口OCS晶振型號列表:

Series型號	Frequency 頻率	Frequency Stability頻率穩定度	Operating Temperature 工作溫度	Package / Case包裝/封裝	Size / Dimension 尺寸	Height - Seated (Max)高度
SaRonix-eCera™ ASSP XO™	62.5MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD, No Lead	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.053" (1.35mm)
SaRonix-eCera™ ASSP XO™	62.5MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD, No Lead	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.053" (1.35mm)
SaRonix-eCera™ ASSP XO™	62.5MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD, No Lead	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.053" (1.35mm)
SaRonix-eCera™ FK	12MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD, No Lead	0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)	0.045" (1.15mm)
SaRonix-eCera™ FK	12MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD, No Lead	0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)	0.045" (1.15mm)
SaRonix-eCera™ ASSP XO™	75MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.061" (1.55mm)

百利通亞陶臺產進口OCS晶振編碼列表:

FDSAS2062	Diodes Incorporated	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	62.5MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD, No Lead	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.053" (1.35mm)
FDSAS2062	Diodes Incorporated	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	62.5MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD, No Lead	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.053" (1.35mm)
FDSAS2062	Diodes Incorporated	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	62.5MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD, No Lead	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.053" (1.35mm)
FK1200011	Diodes Incorporated	SaRonix-eCera™ FK	12MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD, No Lead	0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)	0.045" (1.15mm)
FK1200011	Diodes Incorporated	SaRonix-eCera™ FK	12MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4-SMD, No Lead	0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)	0.045" (1.15mm)
FNSAS2075	Diodes Incorporated	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	75MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4-SMD, No Lead	0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)	0.061" (1.55mm)

FDSAS2062 5.0_3.2 CMOS

所有產品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指金屬面晶體振蕩器產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。百利通亞陶晶振,有源晶振,ASSP XO晶振,FDSAS2062晶振

4：粘合劑:請勿使用可能導致普通有源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

晶振產品使用每種產品時,請在5032石英晶體振蕩器規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。