EPSON晶振,貼片晶振,SG-211SEE晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
2.375-60.0MHZ |
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.vanban.cn |
H: -40℃to +105℃ |
|||
J: -40℃to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度。
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定京瓷晶振的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗愛普生晶振的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。 不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。
如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保
在使用前檢查其特點(diǎn)。
愛普生晶振,貼片晶振,SG-211SEE晶振