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百利通亞陶晶振,智能家居晶振,UW壓電晶體.貼片石英晶振最適合用于車載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡稱為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設(shè)計(jì)、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺(tái)灣臺(tái)北；臺(tái)灣桃園市、臺(tái)灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes 的晶圓生產(chǎn)設(shè)施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設(shè)有一座生產(chǎn)設(shè)施.Diodes 在中國上海、濟(jì)南、成都、揚(yáng)州,以及香港、紐豪斯及臺(tái)北設(shè)有組裝與測試設(shè)施.另外在多個(gè)據(jù)點(diǎn)設(shè)有工程、銷售、倉儲(chǔ)及物流辦公室,包括臺(tái)北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設(shè)有支持辦公室.該公司生產(chǎn)設(shè)施已達(dá)到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認(rèn)證的品質(zhì)獎(jiǎng).Diodes 百利通亞陶晶振公司目前擁有 C-TPAT 認(rèn)證.

百利通亞陶晶振	單位	UW晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	26.000MHz~66.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃ -30℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±10ppm~±50ppm	+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.vanban.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF~20pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

UW 2016

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊:

石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品.請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對高質(zhì)量石英晶振特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致2016晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.

如何正確的使用有源晶振

電處理:

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗環(huán)保晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機(jī)械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).