愛普生日產晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應用范圍也比較廣闊,所有的時記產品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域.是對應陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比出色的產品.最適用于HDD, SSD, USB數碼產品,播放器、數碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.
愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振,2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應IC可能) 高度:最高0.8 mm,體積:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,輕型,低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產品本身可根據使用需要進行選擇.
石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶體振蕩器晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
項目 |
符號 |
規格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
13~38.4MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.7 V to 3.3 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
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H: -40℃to +105℃ |
|||
J: -40℃to +125℃ |
|||
頻率穩定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST終端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25℃,初年度,第一年 |
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG-5035CJ
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
33.600000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
16.369000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
38.400000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
52.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
16.368000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
16.369000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
愛普生TCXO進口日產晶振編碼列表:
X1G0038410002
TG-5035CJ
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x
0.73 mm
Clipped sine
wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410004
TG-5035CJ
26.000000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-1.5
ppm
-30
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410010
TG-5035CJ
33.600000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-1.5
ppm
-30
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410011
TG-5035CJ
16.369000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-2.0
ppm
-30
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410015
TG-5035CJ
26.000000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-2.5
ppm
-30
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410017
TG-5035CJ
26.000000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-1.5
ppm
-30
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410026
TG-5035CJ
38.400000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-2.0
ppm
-30
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
2.0 mA
+/-1ppm
X1G0038410027
TG-5035CJ
52.000000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-2.0
ppm
-30
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
2.0 mA
+/-1ppm
X1G0038410029
TG-5035CJ
16.368000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-2.0
ppm
-30
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410030
TG-5035CJ
24.000000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-2.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410033
TG-5035CJ
16.369000
MHz
2.00
x 1.60 x 0.73 mm
Clipped
sine wave
+/-2.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.50
ppm
≤
1.5 mA
+/-1ppm
所有產品的共同點1:抗沖擊:抗沖擊是指金屬面晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。3:化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4:粘合劑:請勿使用可能導致2016小型貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
晶振產品使用每種產品時,請在智能手機晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。愛普生晶振,溫補晶振,TG-5035CJ晶振,X1G0038410002晶振