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Bomar晶振,B1825-BACS3T6N-20.000000晶振,7050mm貼片晶振

頻率：1.000MHZ~800.000MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

壓控晶振（VCXO）是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器，其振蕩頻率由晶體決定，可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO 大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。

訂購熱線：86-0755-27838351

Bomar晶振,B1825-BACS3T6N-20.000000晶振,7050mm貼片晶振

有源晶振需要電源，但不需要附加的電容。它內(nèi)部含有起振器。通常接到CPU的一根引腳即可，有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器,信號質(zhì)量好,比較穩(wěn)定,而且連接方式相對簡單(主要是做好電源濾波,通常使用一個電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò),輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可),不需要復(fù)雜的配置電路.

Bomar晶振公司成立于1963年,是一家為商業(yè)和雙向無線電行業(yè)提供石英晶體的制造商.為了滿足嚴(yán)格的FCC規(guī)范,業(yè)務(wù)性質(zhì)要求在寬頻率范圍內(nèi)具有嚴(yán)格的公差和高穩(wěn)定性晶體.快速生產(chǎn)的需求對我們不斷增長的客戶群非常重要.我們的許多客戶都是當(dāng)?shù)?/span>,州和聯(lián)邦警察和監(jiān)督機(jī)構(gòu).Bomar很快成為這個市場的領(lǐng)先供應(yīng)商,但在產(chǎn)品質(zhì)量,快速周轉(zhuǎn)時間和無與倫比的客戶服務(wù)方面始終得到認(rèn)可.

1988年,博馬爾開始建立OEM客戶群.來自電信,計算機(jī),醫(yī)療,安全,商業(yè)和工業(yè)市場的客戶不僅開始使用晶體,還開始使用時鐘晶體振蕩器,石英晶體振蕩器，VCXO壓控晶振，TCXO溫補(bǔ)晶振，石英晶體諧振器等.為了滿足產(chǎn)品要求的這一變化,我們重新設(shè)計了我們的制造工藝,并增加了新的制造設(shè)備,以更小的封裝生產(chǎn)晶體和振蕩器,具有更高的頻率,低相位噪聲和低抖動.隨著這些變化和最先進(jìn)的測試設(shè)備的增加,Bomar的國內(nèi)制造工廠繼續(xù)為頻率控制產(chǎn)品提供與1963年相同的快速周轉(zhuǎn),高可靠性,緊密公差和穩(wěn)定性.

在90年代初的強(qiáng)勁增長期間,Bomar與少數(shù)精選的亞洲工廠建立了緊密的合作關(guān)系,以生產(chǎn)符合Bomar規(guī)格的產(chǎn)品.這些關(guān)系是在Bomar對其流程和產(chǎn)品進(jìn)行認(rèn)證后才建立的.今天,Bomar擁有大量晶體,時鐘晶體振蕩器,VCXO壓控晶振和TCXO溫補(bǔ)晶振的低成本資源,延續(xù)了我們50年來致力于提供高性能頻率控制解決方案的承諾,這些解決方案在價格,質(zhì)量和客戶支持方面達(dá)到或超過客戶的期望.

晶體(XTAL)-正確切割和安裝石英晶體成為高質(zhì)量的定時裝置,通過向晶體附近或晶體上的電極施加電壓,可以使其在電場中彎曲.這種性質(zhì)稱為壓電性.當(dāng)場被移除時,石英將在其返回其先前形狀時產(chǎn)生電場,這可以產(chǎn)生電壓.石英晶體的行為類似于由電感器,電容器和電阻器組成的電路,具有精確的諧振頻率.

Frequency Range		1.000 MHz - 200.000 MHz - CMOS
		750.000 kHz - 800.000 MHz - LVDS
		750.000 kHz - 800.000 MHz - LVPECL
Supply Voltage		2.5Vdc or 3.3Vdc
Current Consumption		50mA max. - CMOS
		80mA max. - LVDS
		80mA max. - LVPECL
Temperature Range	Operating	0℃ to +70℃. - Standard
		-40℃ to +85℃. - Optional
	Storage	-55℃ to +125℃.
Frequency Stability		±10ppm to ±100ppm
Pull Range		±50ppm to ±150ppm min.
Control Voltage		(2.5V) 1.25V±1.05V (3.3V) 1.65V±1.35V
Output Load		15pF - CMOS
		100 ohms - LVDS
		50 ohms - LVPECL
Symmetry (Duty Cycle)		45% to 55%
Output rise and fall time (tr/tf)		CMOS - 5nS max., LVDS & LVPECL - 1nS max.
Pin 2 Tri-State	Output enable voltage	No connection
(optional)	Output enable voltage	70% Vdd min.
	Output disable voltage	30% Vdd max.
Start up time		3mS max
Aging		±3ppm/1st year max.
Phase Jitter RMS (12 KHz ~ 20MHz)		4pS max.

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熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

石英晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英耐高溫晶振產(chǎn)品甚至晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

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