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百利通亞陶晶振,HX251晶振,貼片石英晶振

頻率：26MHz

尺寸：2.5*2.0*0.9mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

訂購熱線：86-0755-27838351

百利通亞陶晶振,HX251晶振,貼片石英晶振.小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

Diodes 的產品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅動器)、AC-DC 轉換器與控制器、DC-DC 開關與線性穩壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關、負載開關、電壓監控器及馬達控制器).Double Data Rate (DDR) 同步動態隨機存取內存是用于計算機的內存等級. Diodes晶振可為高可用性通訊與網絡設備（包括服務器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復數據設備）以及醫療裝置與其他嵌入式系統的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件.

石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英耐高溫晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.

百利通亞陶晶振	HX251晶振
輸出類型	CMOS
輸出負載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+1.8V，+2.5V，+3.3V
頻率范圍	26MHz
頻率穩定度	±50ppm
工作溫度	-40℃~+125℃
保存溫度	-55℃~+125℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

HX251

粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個數碼電子晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）

抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

存儲事項

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.

正常溫度和濕度:

溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）.

(2) 請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.

電源線路

電源的線路阻抗應盡可能低.

輸出負載

建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的低損耗晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.

HX2513F0026.000000 HX251晶振高性能晶體振蕩器

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