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百利通亞陶晶振,有源晶體振蕩器,KD晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：5.0*3.2*1.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源環保晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

訂購熱線：86-0755-27838351

百利通亞陶晶振,有源晶體振蕩器,KD晶振.智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設計、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺灣臺北；臺灣桃園市、臺灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes百利通亞陶晶振的晶圓生產設施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設有一座生產設施.Diodes 在中國上海、濟南、成都、揚州,以及香港、紐豪斯及臺北設有組裝與測試設施.另外在多個據點設有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設有支持辦公室.

石英晶振產品電極的設計:石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設計很關鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化.特別是隨著耐高溫晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大,故對電極的設計提出了更精準的要求.

百利通亞陶晶振	KD晶振
輸出類型	CMOS
輸出負載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+2.5V
頻率范圍	32.768KHZ
頻率穩定度	±20~±50ppm
工作溫度	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
保存溫度	-55℃~+125℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

KD_1.8V 5.0_3.2 CMOS

電源線路

電源的線路阻抗應盡可能低.

輸出負載

建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.

如何正確的使用有源晶振

電處理：

將電源連接到有源石英貼片晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗32.768K時鐘振蕩器設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

KD晶振石英貼片晶振高性能晶體振蕩器

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