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百利通亞陶晶振,低功耗晶振,NX50SA有源振蕩器

頻率：5.000MHz~250.000MHz

尺寸：5.0*3.2*1.2mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

百利通亞陶晶振,低功耗晶振,NX50SA有源振蕩器.5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源OSC晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.

Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas).設計、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺灣臺北；臺灣桃園市、臺灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus).Diodes臺灣貼片晶振的晶圓生產設施位于密蘇里州堪薩斯市及曼徹斯特,另外在中國上海亦設有一座生產設施.Diodes 在中國上海、濟南、成都、揚州,以及香港、紐豪斯及臺北設有組裝與測試設施.另外在多個據點設有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設有支持辦公室.

百利通亞陶晶振	NX50SA晶振
輸出類型	CMOS
輸出負載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+2.5V，+3.3V
頻率范圍	5.000MHz~250.000MHz
頻率穩定度	±20ppm，±50ppm
工作溫度	-40℃~+85℃
保存溫度	-55℃~+125℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

NX50SA 5032 OSC

存儲事項

(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存進口貼片5032晶振產品時,會影響頻率穩定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.

正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請參閱“測試點JISC60068-1/IEC60068-1的標準條件”章節內容).

(2)請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶體振蕩器.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等.

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅動力,會導致低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率(請參閱“激勵功率”章節內容).

負極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容).

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).

機械處理

當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英有源晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致智能家居晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

NX50SA晶振耐高溫晶體振蕩器低電壓晶振

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