86-0755-27838351
頻率:2.5MHZ~50MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
“SG5032CCN 3.276800M-HJGA3”EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是全球數一數二的晶振制造商,是數碼映像領域的全球領先企業.全稱為愛普生拓優科夢(Epson Toyocom)將進一步究極用精微加工發揮“石英”材料的優越性能的“QMEMS”技術,創造出體積更小,更高性能或全新功能的電子元器件.愛普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業界第一.主要產品系列:無源晶振,有源晶振,可編程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶體振蕩器,溫補晶振,壓控石英水晶振蕩子,VC-TCXO等等.獨創QMEMS技術,生產出更小更高性能和全新功能的晶振產品.全球晶振產品市場占有率最大.可編程晶振能適應各種客戶的獨特需求.由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價格也是相對于其他平牌要高.被廣泛的應用于各類計量儀表,醫療電子設備,汽車電子和各類高端消費類電子產品.
2010年晶振全球廠家排名中,“SG5032CCN 3.276800M-HJGA3”在占據首位. 愛普生僅此一項水晶振動子行業就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已. 愛普生晶振以32.768K晶振稱霸晶振行業,主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業界. 僅此在音叉振子和振蕩器還達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領 NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發展,另外還發明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHZ為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.
愛普生晶振,SG5032CCN晶振,晶體振蕩器
“SG5032CCN 3.276800M-HJGA3”愛普生拓優科夢把半導體(IC)稱之為“產業之米”,并認為晶體元器件更是離不開的“產業之鹽”將進一步致力于小型,高穩定,高精度晶體元器件的開發,為現有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景.愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業界第一.
那我們說說愛普生KHZ的產品工藝吧,愛普生KHZ產品分有圓柱DIP和貼片SMD.KHZ中愛普生是以32.768KHZ最為出名的. 32.768K晶振是一款數字電路板都要使用到的重要部件,有人比喻為電路板的心跳發生器,也就是說心如果停止了跳動,那么電路板也將無法進行穩定的工作了.32.768K中愛普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振,體積只有2*6mm.精工的VT-200-F,西鐵城的CFS206,KDS的DT-26同體積同參數.因此說道的四款型號晶振都是可以相互替換使用的.只是有客戶比較鐘愛某個品牌,或者是上級有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具有的優點有
1,超小型、薄型、質地輕的音叉圓柱晶振,使焊接更為方便簡單.
2,具備優良的耐熱性、耐環境特性
3,金屬外殼的使用使得產品在封裝時能發揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性.
“SG5032CCN 3.276800M-HJGA3”愛普生除此C-002RX晶振,C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振,體積大概只有3*8mm.只是2*6體積稍微小一點,比較受廣發消費者的愛戴.同此相比,當然也有比2*6更小的體積了,例如體積只有5*1.5mm的C-004R圓柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圓柱晶振.價格相對來說都是比較貴的.因為體積小就意味著占用空間小.
KHZ貼片系列,愛普生在這一系列上做的可是相當的卓越,將貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm.在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm.愛普生的不斷突破使其在市場上占有絕對的優勢.只是這款貼片晶振價格是相當的昂貴.因為里面晶片磨的越小,就代表工藝越復雜.該貼片晶振具有的優點
1,高精度小型表面貼片型石英晶體諧振器
2,輕薄型不小型化為高端產品帶來了更大的方便
3,可發揮優良的電氣特性
4,金屬外殼的使用使得產品在封裝時能發揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性.
項目 |
符號 |
SG5032CCN,規格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
2.5MHZ~50MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
5.0V.Typ |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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B: -20℃ to +70℃ |
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/ |
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頻率穩定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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手機:138-2330-0879
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