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愛普生晶振,SG-8018CB晶振,低電源電壓晶振

頻率：0.67MHZ~170MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

訂購熱線：86-0755-27838351

愛普生晶振,SG-8018CB晶振,低電源電壓晶振

愛普生株式會社EPSON晶振,愛普生拓優科夢,(EPSON—YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續的生產壓電石英晶振,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）。1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.

日本精工愛普生晶振接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生晶振(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).

愛普生晶振公司已經建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續為客戶創造新的價值,并決定使用這個模型來驅動前面提到的四個關鍵領域的創新.這意味著從頭開始創建產品:創建我們自己的獨特的核心技術和設備,使用這些作為基地的規劃和設計提供獨特價值的產品,生產或制造的藝術和科學,我們積累了多年的專業知識,然后生產晶振,石英晶振,有源晶振,貼片晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器,壓控石英水晶振蕩子,等出售給我們的客戶.

愛普生晶振公司加強人力資源的全功能,技術,生產,銷售和支持和環境問題,利用信息技術,推進我們的原始制造模式尋求實現我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標是使用我們的技術來創建一個新的連接人的時代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會.

愛普生晶振,SG-8018CB晶振,低電源電壓晶振

全套日本愛普生晶振生產設備,全自動封膠點焊,網絡系統自動分頻檢測設備,SMD全套現代化生產線.貼片晶振,全套材料采用日本進口,日本電波NDK晶振原廠供應晶片材料,采用KYOCER CRYSTAL京瓷晶振外殼基座.主要生產:石英晶振,貼片晶振,有源晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,32.768K鐘表晶振,陶瓷霧化片,晶振,諧振器,等產品.并且代理日本進口晶振,愛普生晶振,KDS晶振,精工晶振,京瓷晶振,NDK晶振,村田晶振等多家日本一線品牌.與我國臺灣,TXC晶振,鴻星晶振,希華晶振,加高晶振等品牌成為戰略合作伙伴.

在2018年與多個歐美晶振品牌簽訂代銷代理同盟合作關系:ECS晶振,Abracon晶振,CTS晶振,JAUCH晶振,的多個有源晶振進口品牌合作關系,主要以車規晶振,工業級晶振,差分晶振,差分晶體振蕩器,進口差分晶振,軍工晶體為主打.優質的品質:高頻,高穩,高溫,高質量,小尺寸,低相噪,低抖動,低能耗,低損耗,低功率,底電源電壓等優勢的進口差分晶振.是國內最早采用SMD全自動化生產企業,并且2005年在贛州地區信豐工業園自購土地興建現代化生產廠房,實至名歸晶振廠家高新企業,產品60%用于出口.主要以數碼產品,智能穿戴,家居智能化,汽車電子,醫療設備,手機導航等產品為主要客戶源.康華爾電子-以品質求生存,完善的工藝,先進的設備,服務市場,服務客戶.

SG-8018CB

項目		符號	規格說明				條件
電源電壓		V_CC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
電源電壓		V_CC	1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
輸出頻率范圍		f₀	0.67 MHz to 170 MHz
儲存溫度		T_stg	-40°C to +125°C				裸存
工作溫度		T_use	H: -40°C to +105°C
頻率穩定度 *1		f_tol	J: ±50 × 10^-6				T_use= -40°C to +105°C
功耗		I_CC	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use=+105°C		無負載條件 f₀= 20 MHz
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use=+25°C		無負載條件 f₀= 20 MHz
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use=+105°C		無負載條件 f₀= 170 MHz
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use=+25°C		無負載條件 f₀= 170 MHz
輸出禁用電流		I_dis	3.2mA Max.	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	OE=GND , f₀ = 170 MHz
待機電流		I_std	0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use=+105°C		ST = GND
待機電流		I_std	0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25°C		ST = GND
占空比		SYM	45% to 55%				50% V_CC 級
輸出電壓 (DC特性)		V_OH	90% V_CC Min.				[mA]
							tr / tf	V_CC		A	B	C	D
							默認 (f₀>40MHz) 快速	I_OH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
							默認 (f₀>40MHz) 快速	I_OL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默認 (f₀≦40MHz)	I_OH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		V_OL	10% V_CC Max.				默認 (f₀≦40MHz)	I_OL		1.5	2.0	2.5	3.0
							緩慢	I_OH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
							緩慢	I_OL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
輸出負載條件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
輸入電壓		V_IH	70% V_CC Min.				OE or ST
輸入電壓		V_IL	30% V_CC Max.				OE or ST
上升/下降時間	默認	tr / tf	3.0 ns Max.				f₀> 40MHz		20% V_CC to 80% V_CC級 L_CMOS=15pF
	默認		6.0 ns Max.				f₀ ≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f₀=0.67to170MHz
	緩慢		10.0 ns Max.				f₀=0.67to20MHz
禁用時間		t_stp	1 μs Max.				從OE和ST 引腳越過30%的V_CC時測量
啟用時間		t_sta	1 μs Max.				從OE引腳越過70%的V_CC時測量
恢復時間		t_res	3 ms Max.				從ST引腳跨越70%V_CC時測量
振蕩器啟動時間		t_str	3 ms Max.				從V_CC達到其額定的最小值，1.62 V隨時間測量
頻率老化		f_aging	這包含在頻率容差規范				+25°C, 10年

SG-8018CB晶振石英晶體振蕩器低耗能晶振

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