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愛(ài)普生晶振,SG-8018CE晶振,石英晶體振蕩器

頻率：0.67MHZ~170MHZ

尺寸：3.2x2.5mm

小型貼片石英晶振主要采用了，先進(jìn)的晶片的拋光工藝技術(shù)，是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升.改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝，使產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

愛(ài)普生晶振,SG-8018CE晶振,石英晶體振蕩器

EPSON愛(ài)普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長(zhǎng)野縣諏訪市,是全球數(shù)一數(shù)二的晶振制造商,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).全稱為愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson Toyocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出體積更小,更高性能或全新功能的電子元器件.愛(ài)普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)的晶體元器件已以23%的市場(chǎng)占有率位于業(yè)界第一.主要產(chǎn)品系列:無(wú)源晶振,有源晶振,可編程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶振,壓控石英水晶振蕩子,VC-TCXO等等.獨(dú)創(chuàng)QMEMS技術(shù),生產(chǎn)出更小更高性能和全新功能的晶振產(chǎn)品.全球晶振產(chǎn)品市場(chǎng)占有率最大.可編程晶振能適應(yīng)各種客戶的獨(dú)特需求.由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價(jià)格也是相對(duì)于其他平牌要高.被廣泛的應(yīng)用于各類計(jì)量?jī)x表,醫(yī)療電子設(shè)備,汽車(chē)電子和各類高端消費(fèi)類電子產(chǎn)品.
2010年晶振全球廠家排名中,在占據(jù)首位.愛(ài)普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛(ài)普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還達(dá)不到愛(ài)普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.因此除了KHZ，MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術(shù),使工藝技術(shù)達(dá)到人無(wú)完人,史前無(wú)例,實(shí)現(xiàn)以基波方式產(chǎn)生2.5GHZ為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.

愛(ài)普生晶振,SG-8018CE晶振,石英晶體振蕩器

愛(ài)普生KHZ產(chǎn)品分有貼片SMD和圓柱DIP。

KHZ中愛(ài)普生是以32.768KHZ最為出名的。32.768K晶振是一款數(shù)字電路板都要使用到的重要部件，有人比喻為電路板的心跳發(fā)生器，也就是說(shuō)心如果停止了跳動(dòng)，那么電路板也將無(wú)法進(jìn)行穩(wěn)定的工作了。32.768K中愛(ài)普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振，體積只有2*6mm。與日本KDS的DT-26同體積同參數(shù)。

因此說(shuō)道的四款型號(hào)晶振都是可以相互替換使用的。只是有客戶比較鐘愛(ài)某個(gè)品牌，或者是上級(jí)有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的優(yōu)點(diǎn)有

1，超小型、薄型、質(zhì)地輕的音叉圓柱晶振，使焊接更為方便簡(jiǎn)單

2，具備優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性

3，金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。

愛(ài)普生除此C-002RX晶振，C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振，體積大概只有3*8mm。只是2*6體積稍微小一點(diǎn)，比較受廣發(fā)消費(fèi)者的愛(ài)戴。同此相比，當(dāng)然也有比2*6更小的體積了，例如體積只有5*1.5mm的C-004R圓柱晶振，4.5*1.2mm的C-005R圓柱晶振。價(jià)格相對(duì)來(lái)說(shuō)都是比較貴的。因?yàn)轶w積小就意味著占用空間小。

KHZ貼片系列，愛(ài)普生在這一系列上做的可是相當(dāng)?shù)淖吭剑瑢?/span>貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm。在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm。愛(ài)普生的不斷突破使其在市場(chǎng)上占有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。只是這款貼片晶振價(jià)格是相當(dāng)?shù)陌嘿F。因?yàn)槔锩婢サ脑叫。痛砉に囋綇?fù)雜。

該貼片晶振具有的優(yōu)點(diǎn)

1，高精度小型表面貼片型石英晶體諧振器

2, 輕薄型與小型化為高端產(chǎn)品帶來(lái)了更大的方便

3，可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性

4，金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。

SG-8018CE

項(xiàng)目		符號(hào)	規(guī)格說(shuō)明				條件
電源電壓		V_CC	1.80 V Typ.		2.50 V Typ.	3.30 V Typ.
電源電壓		V_CC	1.62 to 1.98V	1.98 to 2.20V	2.20 to 2.80V	2.70 to 3.63 V
輸出頻率范圍		f₀	0.67 MHz to 170 MHz
儲(chǔ)存溫度		T_stg	-40°C to +125°C				裸存
工作溫度		T_use	H: -40°C to +105°C
頻率穩(wěn)定度 *1		f_tol	J: ±50 × 10^-6				T_use= -40°C to +105°C
功耗		I_CC	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.4mA Max.	3.5mA Max.	T_use=+105°C		無(wú)負(fù)載條件 f₀= 20 MHz
			2.7mA Typ.		2.9mA Typ.	3.0mA Typ.	T_use=+25°C		無(wú)負(fù)載條件 f₀= 20 MHz
			5.5mA Max.	5.8mA Max.	6.7mA Max.	8.1mA Max.	T_use=+105°C		無(wú)負(fù)載條件 f₀= 170 MHz
			4.7mA Typ.		5.7mA Typ.	6.8mA Typ.	T_use=+25°C		無(wú)負(fù)載條件 f₀= 170 MHz
輸出禁用電流		I_dis	3.2mA Max.	3.2mA Max.	3.3mA Max.	3.5mA Max.	OE=GND , f₀ = 170 MHz
待機(jī)電流		I_std	0.9μA Max.	1.0μA Max.	1.5μA Max.	2.5μA Max.	T_use=+105°C		ST = GND
待機(jī)電流		I_std	0.3μA Typ.	0.4μA Typ.	0.5μA Typ.	1.1μA Typ.	T_use= +25°C		ST = GND
占空比		SYM	45% to 55%				50% V_CC 級(jí)
輸出電壓 (DC特性)		V_OH	90% V_CC Min.				[mA]
							tr / tf	V_CC		A	B	C	D
							默認(rèn) (f₀>40MHz) 快速	I_OH		-2.5	-3.5	-4.0	-5.0
							默認(rèn) (f₀>40MHz) 快速	I_OL		2.5	3.5	4.0	5.0
							默認(rèn) (f₀≦40MHz)	I_OH		-1.5	-2.0	-2.5	-3.0
		V_OL	10% V_CC Max.				默認(rèn) (f₀≦40MHz)	I_OL		1.5	2.0	2.5	3.0
							緩慢	I_OH		-1.0	-1.5	-2.0	-2.5
							緩慢	I_OL		1.0	1.5	2.0	2.5
							A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
輸出負(fù)載條件 (CMOS)		L_CMOS	15pF Max.
輸入電壓		V_IH	70% V_CC Min.				OE or ST
輸入電壓		V_IL	30% V_CC Max.				OE or ST
上升/下降時(shí)間	默認(rèn)	tr / tf	3.0 ns Max.				f₀> 40MHz		20% V_CC to 80% V_CC級(jí) L_CMOS=15pF
	默認(rèn)		6.0 ns Max.				f₀ ≦ 40MHz
	快速		3.0 ns Max.				f₀=0.67to170MHz
	緩慢		10.0 ns Max.				f₀=0.67to20MHz
禁用時(shí)間		t_stp	1 μs Max.				從OE和ST 引腳越過(guò)30%的V_CC時(shí)測(cè)量
啟用時(shí)間		t_sta	1 μs Max.				從OE引腳越過(guò)70%的V_CC時(shí)測(cè)量
恢復(fù)時(shí)間		t_res	3 ms Max.				從ST引腳跨越70%V_CC時(shí)測(cè)量
振蕩器啟動(dòng)時(shí)間		t_str	3 ms Max.				從V_CC達(dá)到其額定的最小值，1.62 V隨時(shí)間測(cè)量
頻率老化		f_aging	這包含在頻率容差規(guī)范				+25°C, 10年

SG-8018CE晶振可編程晶振晶體振蕩器 3225mm晶振

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