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愛普生晶振,貼片晶振,TG2016SBN晶振,TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3

頻率：13-55MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,“TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3”有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：86-0755-27838351

EPSON晶振,貼片晶振,TG2016SBN晶振,“TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3”溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：“TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3”是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	13-55MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.vanban.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

低消耗晶振,石英水晶振子,TG2016SBN晶振

使用環境（溫度和濕度）

請在規定的溫度范圍內使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。

晶振/石英晶體諧振器

激勵功率

在晶振上施加過多驅動力,會導致貼片晶體產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率。

負極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或陶瓷振蕩子振蕩啟動時間可能會增加。

負載電容

有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容

愛普生晶振,貼片晶振,TG2016SBN晶振 “TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3”

低消耗晶振石英水晶振子 TG2016SBN晶振 TG2016SBN 16.0000M-PCGNDM3

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