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愛普生晶振,貼片晶振,XG-1000CB晶振

頻率：50-170MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

5032mm體積的溫補晶振（TCXO）,是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應IC可能) 高度：最高0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.（可對應回流焊）無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產品本身可根據使用需要進行選擇.

訂購熱線：86-0755-27838351

EPSON晶振,貼片晶振,XG-1000CB晶振,具有最適合于移動通信設備用途的高穩定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.（可對應回流焊）無鉛產品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	50-170MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.vanban.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

石英晶振,高精度晶振,XG-1000CB晶振

石英晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。

每個封裝類型的注意事項

(1)陶瓷包裝晶振與SON產品

在焊接陶瓷封裝晶振和SON產品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。

(2)陶瓷包裝石英晶振

在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。

（3）柱面式產品

產品的玻璃部分直接彎曲日本進口晶振引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導致氣密性和產品特性受到破壞。當石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將亞陶晶振產品固在定電路板上。

愛普生晶振,貼片晶振,XG-1000CB晶振

石英晶振高精度晶振 XG-1000CB晶振

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