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富士晶振,高質量石英晶振,FTS-26B插件晶體

頻率：32.768KHZ

尺寸：6.5*1.9mm

插件石英晶體,體積小,焊接可采用自動焊接系統,產品本身小型,引腳焊接晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,輕型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

富士晶振,高質量石英晶振,FTS-26B插件晶體.普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除插件進口晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

1994年3月與韓國SUNNY ELECTRONICS CORP,山梨縣電波株式會社,Sunlead有限公司簽訂合同,擴大晶體器件的銷售模式.1998年4月引入了網絡分析儀,示波器和其他檢查設備以提高質量.1998年11月美國Transko Electronics,Inc. 與之簽訂了購銷合同.2000年7月臺灣揚泰電子股份有限公司與Fujicom晶振品牌簽約銷售.2001年1月推出自動晶體振蕩器檢查裝置.2005年8月傳輸方式介紹了自動晶體振蕩器檢查裝置.2008年6月與KEC簽訂合同,在日本銷售KEC半導體.十月在東京商業峰會上展出.開始銷售LED照明.十二月開始銷售高壓薄膜電容器.

富士晶振	單位	FTS-26B晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作溫度	T_use	-10℃~+60℃	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.vanban.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

FTS-26B

粘合劑

請勿使用可能導致插件石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.

自動安裝時的沖擊:

石英晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品.請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對32.768K晶振特性產生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.