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IDT晶振,8N3S270晶振,進(jìn)口晶振

頻率：15.476MHZ~866.67MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

IDT晶振集團(tuán) 的 XL 和 XU 晶體振蕩器,有源晶振可提供 HCMOS、LVPECL、LVDS 和 HCSL 輸出. XU 和 XL 系列分別擁有 300 fs 和 750 fs（典型值） RMS 相位抖動(dòng) (12 kHz – 20 MHz)（分別）. 提供 ± 20 ppm、± 25 ppm、± 50 ppm 或 ± 100 ppm 的頻率穩(wěn)定性選項(xiàng),以及 16 kHz 至 1.5 GHz 的自定義頻率的快速交貨期. 這些有源晶振,壓控振蕩器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝（3.2 x 2.5 mm、5 x 3.2 mm、7 x 5 mm）和引腳. IDT 的 XU 和 XL 系列所能提供的性能、價(jià)格和交付均可滿足您的設(shè)計(jì)要求. 相關(guān)應(yīng)用包括：網(wǎng)絡(luò)、通信、數(shù)據(jù) I/O、存儲(chǔ)和服務(wù)器.

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

IDT晶振,8N3S270晶振,進(jìn)口晶振.智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

IDT的傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器適用于各種汽車(chē)應(yīng)用,包括電力轉(zhuǎn)向、排放控制、可變閥門(mén)定時(shí)、液位測(cè)量、航向通風(fēng)和空調(diào)(HVAC).IDT的創(chuàng)新時(shí)機(jī)、互連、PMIC和無(wú)線電力解決方案使客戶能夠開(kāi)發(fā)具有創(chuàng)新功能、改進(jìn)性能和延長(zhǎng)電池壽命的移動(dòng)和個(gè)人電子產(chǎn)品.IDT晶振的集成電路用于世界各地的通信、計(jì)算和消費(fèi)行業(yè).IDT總部位于加州圣何塞市,在世界各地都設(shè)有設(shè)計(jì)、運(yùn)營(yíng)和銷(xiāo)售設(shè)施.

IDT晶振	8N3S270晶振
輸出類(lèi)型	LVPECL
輸出負(fù)載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+1.8V，+2.5V，+3.3V
頻率范圍	15.476MHz~866.67MHz
頻率穩(wěn)定度	±20ppm ±25ppm ±50ppm ±100ppm
工作溫度	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
保存溫度	-65℃~+150℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間	5 ms Max
相位抖動(dòng)（12兆赫~20兆赫）	1個(gè)PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

8N3S270 7050 LVPECL

IDT晶振,8N3S270晶振,進(jìn)口晶振,機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管OSC晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至進(jìn)口晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將石英7050晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源高質(zhì)量貼片晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.

使用環(huán)境（溫度和濕度）

請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英智能家居晶振.這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障.請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生.