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NAKA晶振,溫補(bǔ)晶振,CHSG(CMOS)晶振,有源晶振

頻率：40~100MHZ

尺寸：14.2*9.6mm

溫補(bǔ)進(jìn)口晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM~2.0PPM,常用頻率:26M,33.6M,38.4M,40M.因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和無(wú)線(xiàn)通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：86-0755-27838351

納卡晶振公司是使用模擬電路技術(shù)，擅長(zhǎng)定制規(guī)格的石英晶體振蕩器設(shè)備制造廠(chǎng)。有強(qiáng)烈要求“低相位噪聲、高頻、高信賴(lài)性”的通信設(shè)備、廣播設(shè)備、測(cè)量?jī)x器、交通基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療器械、防衛(wèi)設(shè)備。另外，現(xiàn)在已經(jīng)成為問(wèn)題了，對(duì)生產(chǎn)中止，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期性的產(chǎn)品供應(yīng)，以滿(mǎn)足顧客未來(lái)的企業(yè)為目標(biāo)。總部：總社?經(jīng)營(yíng)本部東京都千代田區(qū)九階南4丁目2號(hào)11號(hào),開(kāi)發(fā)生產(chǎn)科(橫濱工廠(chǎng)).

NAKA晶振,溫補(bǔ)晶振,CHSG(CMOS)晶振,有源晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線(xiàn)通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：TCXO晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿(mǎn)足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。

項(xiàng)目	符號(hào)	(CMOS)晶振規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f0	40~100MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	3.3~5.0V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -20℃ to +70℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料 http://www.vanban.cn
		H: -40℃ to +85℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±1 × 10-6
		L: ±2.5× 10-6
		T: ±5× 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCC Max.	ST 終端
輸入電壓	VIL	20 % VCC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

CHSG 14.2-9.6 CMOS

負(fù)載電容與阻抗:溫補(bǔ)補(bǔ)償晶振負(fù)載電容與阻抗設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿(mǎn)足時(shí)，指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測(cè)量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。NAKA晶振,溫補(bǔ)晶振,CHSG(CMOS)晶振,有源晶振

機(jī)械處理:當(dāng)貼片溫補(bǔ)補(bǔ)償晶振發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。

如何正確的使用溫補(bǔ)振蕩器,電處理:將電源連接到指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的，假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振，或者起不到最佳精度。