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NDK晶振,TCXO晶體振蕩器,NT2016SC溫補晶振

頻率：10.000MHz~52.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.7mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.

訂購熱線：86-0755-27838351

NDK晶振,TCXO晶體振蕩器,NT2016SC溫補晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

日本NDK晶振集團創(chuàng)造利益,提升企業(yè)價值的同時,為了繼續(xù)提升企業(yè)的價值,我們認為維持經(jīng)營的透明性,確實盡到對各位股份持有者說明的責任這樣的公司治理的構(gòu)筑必不可少,我們把其放在經(jīng)營最重要的課題之一的位置.日本于2015年6月制定了公司治理準則,由此我們迎來了兩位外部董事.加大強化相關(guān)經(jīng)營監(jiān)察機能、遵守法律,確保說明責任,迅速且適當?shù)毓夹畔?履行環(huán)境保全等的社會責任,而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè).

石英晶振的切割設(shè)計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.

NDK晶振	NT2016SC晶振
輸出類型	HCMOS
輸出負載	10kΩ//10pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+1.8V
頻率范圍	10.000MHz~52.000MHz
頻率穩(wěn)定度	±2.0ppm
工作溫度	-30℃~+85℃
保存溫度	-40℃~+85℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

NT2016SC_2.0_1.6 TCXO

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD2016晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請勿使用可能導致高精密貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.