NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過(guò)對(duì)客戶的服務(wù),為社會(huì)繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.
現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價(jià)值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長(zhǎng)為目標(biāo)而努力.
日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振經(jīng)營(yíng)范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會(huì)社的發(fā)展歷史：

1948 年  在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會(huì)社生產(chǎn)銷售32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振等元器件.

1949 年  開(kāi)始晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的制造、銷售

1950 年  NDK晶振公司名變更為日本電波工業(yè)株式會(huì)社

 總公司遷移登記至東京都涉谷區(qū)大山町

1954 年  建設(shè)、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區(qū)代代木新町（現(xiàn)為 涉谷區(qū)西原）

1959 年  日本電波工業(yè)株式NDK晶振會(huì)社開(kāi)始晶體濾波器,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的制造

1960 年  開(kāi)始晶體振蕩器,貼片晶振,聲表面濾波器,陶瓷霧化片,石英晶體諧振器,石英晶體的制造

1962 年  日本電波工業(yè)株式NDK晶振會(huì)社著手在崎玉縣狹山市建立新工廠（現(xiàn)為 狹山事業(yè)所）

1963 年  在狹山事業(yè)所建成人工水晶工廠、開(kāi)始人工水晶的制造

 在狹山事業(yè)所建成水晶切斷工廠,在日本證券業(yè)協(xié)會(huì)進(jìn)行店面登記

1964 年  在狹山事業(yè)所建成組裝工廠

 在大阪府大阪市設(shè)立大阪辦事處

1970 年  在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會(huì)社（現(xiàn)為 新瀉NDK）

1975 年  日本電波工業(yè)株式NDK晶振會(huì)社在美國(guó)加利福尼亞州設(shè)立美國(guó)辦事處

1976 年  在宮城縣古川市（現(xiàn)為 大崎市）建立古川NDK株式會(huì)社

1979 年  在馬來(lái)西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.生產(chǎn)銷售32.768K,時(shí)鐘晶體,壓電石英晶體,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等

 日本電波工業(yè)株式NDK晶振會(huì)社為取得更大發(fā)展而解散美國(guó)辦事處,設(shè)立NDK America, Inc.

1985 年  日本電波工業(yè)株式會(huì)社NDK晶振在狹山事業(yè)所主樓竣工

1986 年  在愛(ài)知縣岡崎市設(shè)立中部營(yíng)業(yè)所

 在馬來(lái)西亞建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.（現(xiàn)為 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.）

 狹山事業(yè)所新館竣工

1988 年  在新加坡設(shè)立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.（現(xiàn)為 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.）

 在英國(guó)設(shè)立NDK Europe Ltd.

1989 年  北在北海道函館市建立函館NDK株式會(huì)社

1990 年  在東京都新宿區(qū)西新宿設(shè)立總公司事務(wù)所 在東京證券交易所 市場(chǎng)第2部上市

1994 年 在中國(guó)江蘇省建立蘇州日本電波工業(yè)有限公司,生產(chǎn)銷售石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等,在意大利設(shè)立NDK Italy Srl（現(xiàn)為 NDK Europe Ltd. Italy Office）NDK取得ISO9001認(rèn)證

1995 年  在香港成立日本電波工業(yè)（香港）有限公司

1998 年  NDK取得QS9000認(rèn)證 在東京證券交易所 市場(chǎng)第1部上市

1999 年  狹山事業(yè)所取得ISO14001認(rèn)證

2001 年  在德國(guó)設(shè)立NDK Europe Ltd. German Office

2002 年  NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國(guó)伊利諾斯州在美國(guó)伊利諾斯州成立NDK America, Inc. 在北海道函館市建立NRS Technologies Inc. 在中國(guó)上海設(shè)立日電波水晶（上海）貿(mào)易有限公司

2004 年  在北海道千歲市成立千歲技術(shù)中心

2005 年  函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc. 總公司搬至東京都涉谷區(qū)笹冢

2008 年  品質(zhì)保證試驗(yàn)室取得ISO/IEC 17025：2005的認(rèn)證獲東京海關(guān)批準(zhǔn)為特定出口商

2009 年  狹山事務(wù)所內(nèi)的新研發(fā)大樓"Laboratory ATOM"竣工在中國(guó)蘇州設(shè)立蘇州日電波貿(mào)易有限公司

2010 年  NDK石英晶振成為日本國(guó)內(nèi)第一家遵循IFRS準(zhǔn)則的企業(yè)

2014 年  NDK晶振集團(tuán)取得ISO13485認(rèn)證

NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

在使用NDK晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng)

以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問(wèn)題：

一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是NDK晶振阻力的至少五倍.它可寫(xiě)為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說(shuō)明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測(cè)量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值.

如果石英晶振,貼片晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
 采用具有較低電阻（RR）的晶振.
 使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振

當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問(wèn)題不能得到解決.系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒(méi)有足夠的輸出波形振幅.