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ACT晶振,智能手機晶振,3225G-SMX-4晶體

頻率：10.000MHz~64.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.9mm

3225mm體積貼片晶振適用于智能電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于智能電子設備部件,晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合ROHS標準.

訂購熱線：86-0755-27838351

ACT晶振,智能手機晶振,3225G-SMX-4晶體.進口貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

我們與Esterline Research and Design（Esterline）合作,提供具有獨特性能的定制振蕩器,適用于最苛刻的應用.通過使用Esterline的專有技術,我們為市場上最高性能的TCXO和OCXO提供全面的設計支持.通過Esterline,我們突破耐高溫晶振技術的界限.這些突破性產品為TCXO和OCXO樹立了新標準,為市場帶來了新的性能水平.

晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

ACT晶振	單位	3225G-SMX-4晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	10.000MHz~64.000MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±10ppm~±50ppm	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.vanban.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	6pF~20pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年