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ILSI晶振,低功耗晶振,38插件晶體

頻率：32.768KHZ

尺寸：8.0*3.1mm

插件石英晶體,體積小,焊接可采用引腳焊接系統,產品本身小型,引腳焊接型晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,輕型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

ILSI晶振,低功耗晶振,38插件晶體.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯電阻.常用負載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

ILSI艾爾西晶振總部位于內華達州里諾,在加利福尼亞州南部設有辦事處,該公司被認為是靈活而響應迅速的提供交鑰匙供應鏈管理解決方案,編程的組織服務和工程支持.我們提供陶瓷諧振器以及石英或壓電晶體濾波器. 我們的所有產品均按照ILSI工廠控制系統的最高質量標準制造.ILSI晶振以其快速靈活的供應解決方案以及具有競爭力的頻率控制產品價格而受到公認.

石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片無源晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.

ILSI晶振	單位	38晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.vanban.cn/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

38_26_15 3-8mm 2-6mm 1-5mm

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產品甚至插件石英晶振使用更高溫度,會破壞產品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.

輻射

暴露于輻射環境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射.

化學制劑/pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解32.768K晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.

粘合劑

請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)

38 26 15