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Abracon晶振,有源貼片晶振,ASE2高質(zhì)量振蕩器

頻率：0.625MHz~156.250MHz

尺寸：3.2*2.5*1.2mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：86-0755-27838351

Abracon晶振,有源貼片晶振,ASE2高質(zhì)量振蕩器.3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)（PAS）由我們的工程師設(shè)計,Abracon進口晶振可幫助您為行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計做出正確的選擇. PAS測試驗證了電路中的石英晶體性能,同時測量晶體,晶體振蕩器和印刷電路板寄生效應(yīng).測試系統(tǒng)中所有變量的帳戶,并使晶體參數(shù)與MCU或RF芯片組中的電路板和振蕩器實現(xiàn)理想的匹配.這對于使用下一代需要最佳gm因子的節(jié)能技術(shù)尤其重要.

Abracon晶振	ASE2晶振
輸出類型	CMOS
輸出負(fù)載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+1.8V~+3.3V
頻率范圍	32.768KHZ
頻率穩(wěn)定度	±100ppm
工作溫度	0℃~+70℃
保存溫度	-55℃~+125℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

ASE2series 3225 XO OSC

機械振動的影響

當(dāng)低功耗晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

PCB設(shè)計指導(dǎo)

(1)理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,好使用余量或切割PCB.當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性.

(2)在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝.

(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.

(4)請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的高精度石英晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

自動安裝時的沖擊

自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞32.768K晶振產(chǎn)品特性并影響這些進口石英晶體振蕩器.請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時,請重新檢查安裝條件.同時,在安裝前后,請確保晶振未撞擊機器或其他電路板等.

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致進口低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).

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