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Raltron晶振,有源晶振,CO2016晶體振蕩器

頻率：1.500MHz~50.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.65mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：86-0755-27838351

Raltron晶振,有源晶振,CO2016晶體振蕩器.有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的SMD晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

拉隆晶振公司在1983年成立于邁阿密,拉隆電子公司已經(jīng)發(fā)展成為其中之一公認(rèn)的經(jīng)驗(yàn)豐富的頻率管理產(chǎn)品制造商在世界各地.從簡單音叉晶體到高穩(wěn)定性控制有源晶體振蕩器,拉隆提供最多全行業(yè)的頻率管理設(shè)備. 公司對研發(fā)的承諾使得不斷創(chuàng)造領(lǐng)先邊緣晶體和振蕩器器件和技術(shù)多年.今天,拉爾特龍?zhí)峁└咝阅茴l率控制解決方案滿足和超越客戶的期望價(jià)格,質(zhì)量,應(yīng)用工程和客戶支持.

Raltron晶振	CO2016晶振
輸出類型	CMOS
輸出負(fù)載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+1.8V，+2.5V，+3.3V
頻率范圍	1.500MHz~50.000MHz
頻率穩(wěn)定度	±25ppm，±30ppm，±50ppm，±100ppm
工作溫度	-10℃~+70℃
保存溫度	-40℃~+85℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時(shí)間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個(gè)PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

CO2016_2016 OSC

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源2016晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時(shí),指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機(jī)械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).

激勵(lì)功率

在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時(shí)間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)載電容

有源進(jìn)口貼片晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.

CO2016 OSC

CO2016晶振進(jìn)口有源晶振低電壓振蕩器

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