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京瓷晶振,溫補晶振,KT5032溫補晶振

頻率：10~40MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

貼片晶振本身體積小,超薄型溫補晶振,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：86-0755-27838351

京瓷晶振,有源晶振,KT5032晶振,5032mm體積貼片晶振適用于汽車電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	10-40MHz	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	2.7-5.5 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	-10℃ to +70℃	請聯系我們查看更多資料 http://www.vanban.cn


頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

KT5032_5.0_3.2 TCXO

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給SMD晶振照成不良影響。

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,無線路由溫補晶振因此應避免陽光長時間的照射。

3：化學制劑 / pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。

4：粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。）

5：鹵化合物

請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。日本京瓷晶振即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

6：靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

京瓷晶振,有源晶振,KT5032晶振

壓電石英晶體高品質晶振 KT5032晶振

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