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NDK晶振,高質(zhì)量石英晶振,NX5032GB晶體諧振器

頻率：12.000MHz~55.000MHz

尺寸：5.0*3.2*1.0mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

NDK晶振,高質(zhì)量石英晶振,NX5032GB晶體諧振器.二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤裝,可應(yīng)用于高速自動貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計合理,成本和性能良好,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.

石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英耐高溫晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計原則(曲率半徑公式的計算).

日本電波工業(yè)株式會社作為晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立.現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用.晶振技術(shù)的傳感器等新的高附加價值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力.NDK晶振集團(tuán)作為頻率的綜合生產(chǎn)企業(yè),為了向客戶提供高信賴性品質(zhì)的產(chǎn)品,我們始終追求最高品質(zhì)的產(chǎn)品生產(chǎn)和服務(wù),以「通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作貢獻(xiàn)」這樣的公司創(chuàng)業(yè)理念作為我們的使命,今后也會為社會作出貢獻(xiàn).請各位繼續(xù)給予我們支持.

NDK晶振	單位	NX5032GB晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHz~55.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作溫度	T_use	-10℃~+70℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.vanban.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

NX5032GB_5.0_3.2

安裝方向

進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致5032貼片晶振無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

撞擊

雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.

保管

保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致端子軟焊性的老化.

請在沒有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管.

激勵功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致石英智能家居晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

NX5032GB-12MHZ-STD-CSK-5晶振無源環(huán)保晶振日產(chǎn)高質(zhì)量晶體

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