86-0755-27838351
頻率:3.58~80MHZ
尺寸:10.8×4.5mm
泰藝晶振電子自公司成立以來,秉持對環境保護承諾宣言:『還給后代一個干凈的地球』,所有活動應遵從以下政策:
1. 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振,溫補晶振自設計階段至成品完成后之服務即應考察該產品對環境產生之沖擊,避免使用會造成污染之原物料及制程;對污染之防治應從根源解決問題,以《不產生、不使用》為最高指導原則。
2.若無法避免需產生或使用時,應管制單位產生量及使用量,做持續性之追蹤管制、改進并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性(能)資源使用,應從系統研究改善使用效率,以達成節約能源之目標。
TAITIEN晶振,石英晶振,XI晶振,XIHEELAANF-16.000000晶振,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.具有穩定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環性和耐振性等的高可靠性能
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性OSC晶振元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。
泰藝晶振規格 |
單位 |
XI晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
3.58MHZ~80.0MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
臺灣泰藝晶體產品線路焊接安裝時注意事項
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。TAITIEN晶振,石英晶振,XI晶振,XIHEELAANF-16.000000晶振
(1)柱面式產品和DIP產品
晶振產品類型 晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下
比如:橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件 手工焊接+300°C或低于3秒鐘
請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號耐高溫晶振高溫可達260°,有些只可達230°+260°C或低于@最大值 10s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD產品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯系我們以便獲取相關信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑:
49SDIP晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發生源部分
電話:+86-0755-278383514
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