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愛普生晶振,貼片晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 26.0000MH0

頻率：1-75MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,“SG-211SEE 26.0000MH0”本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購熱線：86-0755-27838351

EPSON晶振,貼片晶振,SG-211SEE晶振,“SG-211SEE 26.0000MH0”貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：“SG-211SEE 26.0000MH0”是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	2.375-60.0MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.vanban.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

小型SMD晶振,石英晶體諧振器,SG-211SEE晶振

“SG-211SEE 26.0000MH0”將電源連接到有源晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振，假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振，或者起不到最佳精度。

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定京瓷晶振的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí)，指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測(cè)量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗愛普生晶振的測(cè)量儀器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測(cè)量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。

機(jī)械處理

當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。

如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保

在使用前檢查其特點(diǎn)。

愛普生晶振,貼片晶振,SG-211SEE晶振

小型SMD晶振石英晶體諧振器 SG-211SEE晶振 SG-211SEE 26.0000MH0

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