,,

當(dāng)前位置：首頁(yè) » 日產(chǎn)晶振 » 愛普生晶振 » 愛普生晶振,貼片晶振,TG-5032SGN晶振

prevnext

愛普生晶振,貼片晶振,TG-5032SGN晶振

頻率：10-40MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

EPSON晶振,貼片晶振,TG-5032SGN晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

石英晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。

項(xiàng)目	符號(hào)	規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	10-40MHZ	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.vanban.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

石英晶振,高精度晶振,TG-5032SGN晶振

請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器石英晶振的兩個(gè)端子的信號(hào)，如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的），請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。

The formula for Capacitances versus Frequency is as following:

該公式的電容與頻率是如下：

FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加有源晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示移動(dòng)通訊晶振該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：

方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。

方法2：采用小電阻（RR）的晶體。

方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從霧化片廠家辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。

愛普生晶振,貼片晶振,TG-5032SGN晶振

石英晶振高精度晶振 TG-5032SGN晶振

采購(gòu)：愛普生晶振,貼片晶振,TG-5032SGN晶振

*聯(lián)系人：
*手機(jī)：
公司名稱：
郵箱：
電話：
地址：
*采購(gòu)意向：
*驗(yàn)證碼：

跟此產(chǎn)品相關(guān)的產(chǎn)品 / Related Products

: 535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振; 535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，Silicon品牌晶振，型號(hào)：Si535，編碼為：535BB156M250DG，頻率為：156.250MHz，電壓：3.3V，LVDS輸出差分晶振，溫度穩(wěn)定性：±20ppm，工作溫度范圍：-40℃至+85℃，小體積晶振尺寸：7.0x5.0mm封裝，六腳貼片晶振，有源晶振，石英晶振，差分晶體振蕩器。應(yīng)用程序：10/40/100G數(shù)據(jù)中心，10G以太網(wǎng)，交換機(jī)/路由器，光纖通道/SAS/存儲(chǔ)，企業(yè)服務(wù)器，網(wǎng)絡(luò)，電信，光模塊，無線網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。

: SX3HK,SX3HK25K50E-52MHz,HCSL,荷蘭FCD-Tech差分晶振,3225mm; SX3HK,SX3HK25K50E-52MHz,HCSL,荷蘭FCD-Tech差分晶振,3225mm,有源晶體振蕩器,荷蘭進(jìn)口晶振,六腳差分晶振,3225mm晶振,SX3HK振蕩器,HCSL輸出晶振,差分貼片晶振,石英差分晶振,尺寸3.2x2.5mm,頻率52MHZ,輸出HCSL,耐高溫晶振,低相位晶振,低相噪晶振,低電流晶振,多媒體設(shè)備晶振,儀器設(shè)備晶振,測(cè)試設(shè)備晶振,數(shù)字視頻晶振.

: FCD-Tech機(jī)頂盒晶振,SX3EK33F20E-48MHz,LVPECL,3225mm,48MHZ; FCD-Tech機(jī)頂盒晶振,SX3EK33F20E-48MHz,LVPECL,3225mm,48MHZ,荷蘭進(jìn)口晶振,六腳差分晶振,3225mm時(shí)鐘振蕩器,有源貼片晶振,48MHZ有源晶振,LVPECL差分晶振,差分晶體振蕩器,貼片差分晶振,尺寸3.2x2.5mm,頻率48MHZ,輸出邏輯LVPECL,低抖動(dòng)晶振,低電壓晶振,低相位晶振,低相噪晶振,SDH應(yīng)用晶振,無線路由器晶振,小家電晶振,機(jī)頂盒晶振.

產(chǎn)品中心 Product Center