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KDS晶振,DSK321STD晶振,進口貼片晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.2*2.5mm

小型貼片石英晶振主要采用了，先進的晶片的拋光工藝技術，是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝，使產品在各項參數得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品

訂購熱線：86-0755-27838351

KDS晶振,DSK321STD晶振,進口貼片晶振

3225mm體積貼片晶振適用于電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于智能電子部件,晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合ROHS標準.

Diodes 公司為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商,產品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場.Diodes晶振服務的市場包括消費性電子、計算機、通訊、工業及汽車市場.Diodes 的產品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅動器)、AC-DC 轉換器與控制器、DC-DC 開關與線性穩壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關、負載開關、電壓監控器及馬達控制器).

進口石英晶振,多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內

KDS晶振,DSK321STD晶振,進口貼片晶振

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規模生產石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年在東京辦事處開業.

1973年開設kurodasho廠(現在的西脅工廠)生產晶體管.

1974年開設川廠(現在的涼廠)是目前人造石英晶體,(SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規模最大的.

1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.

1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產部)對石英晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和時鐘晶振.

1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產部)作為人造石英晶體的穩定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規模生產光學低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業.開始生產溫補晶振(TCXO)和壓控晶體振蕩器(VCXO).

1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS晶振印度尼西亞啟動海外生產石英晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節上市.建立大真空晶振(德國)公司加強在歐洲的銷售.

1993建立了天津公司開始海外生產音叉晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,陶瓷晶振,32.768K晶振,時鐘晶振,壓電石英晶振.

1996獲得ISO9001(國際標準化組織質量管理標準).

1998(獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.)

2000獲得ISO14001(環境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規范由國際標準化組織).

2003加大天津加工廠面積,擴大石英晶振生產規模,加強石英晶振在中國的銷售.成立上海銳致國際貿易有限公司,以和諧電子公司為我公司的綜合子公司.加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補晶振(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),陶瓷諧振器等器件業務.

2010建立大真空(泰國)有限公司.

2012擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節上市.

DSK321STD 3225(TCXO)

低頻率穩定輸出晶振,3225金屬表面封裝晶振,DSX321SH晶振

項目	記號	規格値				條件
項目	記號	min.	typ.	max.	単位	條件
出力周波數	fo	-	32.768	-	kHz
電源電圧範囲	V_CC	+2.0	-	+5.5	V	（溫度補償動作）
電源電圧範囲	V_CC	+1.3	-	+5.5	V	（計時動作）
周波數許容偏差（常溫偏差含む）	f_tol	-5.0	-	+5.0	×10^-6	-40~+85℃
周波數許容偏差（常溫偏差含む）	f_tol	-3.8	-	+3.8	×10^-6	-10~+60℃
消費電流	I_CC	-	+1.2	+2.5	μA	V_CC=+3.3V, 溫度補償間隔0.5s, No Load
		-	+1.7	+3.2		V_CC=+5.0V, 溫度補償間隔0.5s, No Load
		-	+1.0	+2.0		V_CC=+3.3V, 溫度補償間隔2.0s, No Load
		-	+1.5	+3.0		V_CC=+5.0V, 溫度補償間隔2.0s, No Load
波形対稱性	SYM	40	50	60	%	at 50% V_CC
0レベル電圧	V_OL	-	-	+0.4	V
1レベル電圧	V_OH	V_CC-0.4	-	-	V
立上り時間立下り時間	tr, tf	-	-	50	ns	V_CC=+2.0~+5.5V, 10~90% V_CC Level
立上り時間立下り時間	tr, tf	-	-	200	ns	V_CC=+1.3~+5.5V, 10~90% V_CC Level
出力負荷條件	L__CMOS	-	-	15	pF
起動時間	Tstart	-	-	3.0	s
梱包単位（1）	2000pcs./reel （φ180）

鐘表晶振高精度貼片晶振小體積薄型晶振 DSK321STD晶振

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